Colloque

Étude de la relaxation atomique dans le silicium amorphe

Raymond Lutz

Laurent J. Lewis

Membre a labase

Raymond Lutz

Résumé du colloque

Des études expérimentales récentes suggèrent que la relaxation atomique dans les semiconducteurs amorphes — et notamment le silicium — procède par l'annihilation des défauts structuraux, tels que lacunes et interstitiels, plutôt que par une augmentation de l'ordre à courte portée, comme c'est le cas dans les métaux amorphes. Cette interprétation présume que les lacunes sont des entités stables à basse température. Il est très difficile de vérifier expérimentalement cette hypothèse. Dans le présent travail, nous utilisons des méthodes de simulation numérique pour étudier la dynamique des défauts, aussi bien lacunes qu'interstitiels, en fonction de la température et, en particulier, nous en examinons les propriétés de stabilité. L'importance relative des mécanismes de suppression des défauts, en comparaison de l'augmentation de l'ordre à courte portée, est également discutée. Notre analyse est fondée sur un modèle réaliste pour l'énergie d'interaction entre les atomes de silicium.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Sherbrooke

Découvrez d'autres communications scientifiques

Dans le même colloque
Du même congressiste

Titre du colloque :

Physique

Corrélateur optique utilisant un téléviseur à cristaux liquides

Luc Leclerc

Un modèle pour les éléments magnétiques du Soleil

Paul Lorrain

Observation d'anisotropie des sections efficaces en spectroscopie de réflexion d'électrons lents da…

Gilbert Vachon

Voir tous les contenus de ce colloque

Autres communications du même congressiste :

Thème du colloque :

Physique

Étude de la relaxation atomique dans le silicium amorphe

Raymond Lutz