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Étude de l'effet de la canalisation sur les parcours de l'hydrogène implanté à basse énergie dans le silicium monocristallin et polycristallin

Gilles Bourque
Bernard Terreault
GB

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Gilles Bourque

Résumé du colloque

La canalisation des ions par la structure cristalline a pu être mise en évidence par l'implantation d'hydrogène à différents angles d'incidence dans le silicium monocristallin et polycristallin. Les parcours résultants sont mesurés à l'aide de la technique de détection des reculs élastiques (DRE) avec filtre ExB. En utilisant des monocristaux dont la normale est orientée selon les axes <110>, <111> et <100>, nous avons observé une décroissance du parcours pour ces trois directions respectivement, tandis que le silicium polycristallin a donné une valeur intermédiaire. Dans le cas <110>, en variant l'énergie (0.5 à 2 keV) nous avons mesuré un parcours des ions de silicium canalisé et aléatoire, nos mesures montrent que la région où les parcours canalisés versus aléatoire se situent à 1 ± 0.5 keV et vaut ~2 à 2.0 keV. Ceci est indépendant de l'angle d'incidence mais dépendant de l'énergie d'incidence à des énergies inférieures à 0.5 keV. Enfin, nous comparons ces résultats avec ceux de simulation Monte Carlo MARLOWE (Oak Ridge), TRIM (IBM), et BABOUIN (INRS).

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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