Colloque

Étude de l’effet de la gravure sèche et des hautes températures sur l’interface Si/SiO2 par DLTS

S. Belkouch

A. Legdani

C. Jean

C. Aktik

Membre a labase

S. Belkouch

Résumé du colloque

Le long du procédé 1.5 µm-CMOS, les dispositifs subissent des traitements thermiques et de plasma qui influencent leur comportement électrique ultérieur. L’interface Si/SiO2, élément clé, est justement le plus sensible face à ces traitements. Malgré le grand nombre d’études sur ce sujet, la nature microscopique et les mécanismes de création des défauts de l’interface ne sont pas complètement élucidés à ce jour. Dans ce travail, nous étudions cette interface par la méthode de spectroscopie DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) à certaines étapes de la fabrication CMOS. Aussi, une déviation par rapport au processus standard est effectuée; nous remplaçons la gravure sèche de polysilicium, servant à isoler la grille, par une gravure humide. Les mesures effectuées montrent des pics élargis qui apparaissent à E1=Ec-0.25 eV et à E2=Ec-0.39 eV avant tout traitement thermique à haute température (> 400°C). Nous trouvons que les niveaux E1 et E2 dépendent du type de gravure. Par contre, le traitement à température plus élevée est plus significatif dans le cas de la gravure sèche. Nous avons aussi observé que le traitement à haute température (950°C) est bénéfique pour les échantillons. En effet, le niveau Et1 disparaît et la concentration d’états d’interface diminue. Enfin, nous fournissons une étude comparative avec les résultats de la littérature.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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