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Étude de photoconductivité et de photoconductivité persistante sur des couches épitaxiales GaInP/InP:Fe fabriquées par OMCVD

Gang Zhao
Yiguang Zhao
Ahmed Bensaada
Remo A. Masut
John L. Brebner
GZ

Membre a labase

Gang Zhao

Résumé du colloque

Nous avons effectué des expériences de photoconductivité (PC) et de photoconductivité persistante (PPC) à différentes températures (88 K-300 K) sur des couches épitaxiales GaInP/InP où le contenu en Ga est varié de 6% à 17%. Les mesures PC indiquent que le gap est lié à la concentration de gallium. Nous avons aussi trouvé que certains niveaux profonds sont semblables alors que d'autres varient selon l'échantillon. De plus, nous avons observé pour la première fois des phénomènes PPC dans le GaInP/InP. Les résultats obtenus dépendent de l'intensité de la lumière, de la durée d'excitation et de l'énergie des photons. Ces observations sont expliquées par un modèle de barrière de potentiel entre la couche épitaxiale et le substrat.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

Physique
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