Colloque

Étude de structure et de changement de phase des semiconducteurs Cu2Se, Cu2-x Se et CuSe

Mohammed Boumerzoug

Georges Veilleux

Robert St-Jacques

Lô H. Dao

Membre a labase

Mohammed Boumerzoug

Résumé du colloque

Récemment, les semiconducteurs de type CuSe ont suscité beaucoup d'intérêt à cause des applications en électronique et en photovoltaïque. Ces semiconducteurs ont été surtout préparés par chauffage des mélanges de poudres de sélénium et de cuivre sous vide, à des températures allant jusqu'à 1000 °C, pour des durées allant jusqu'à une semaine. Nous présentons ici les premiers travaux sur la préparation des films minces de CuSe avec différents rapports atomiques par électrodéposition et les études de structure et de changement de phase in situ des couches minces. Le contrôle de la composition du film mince se fait par changement du pH du milieu ou du voltage appliqué au cours de l'électrodéposition. La morphologie, la composition et la structure des films ont été étudiées par MEB, EDX et diffraction de rayon X, respectivement. Les films CuSe ont été aussi électrodéposés sur des grilles en nickel de microscopie électronique à transmission (MET); l'épaisseur du film étant contrôlée par la durée de déposition. Un système de chauffage installé à l'intérieur du MET nous permettait d'étudier in situ les changements de phase en fonction de la température (20 à 900 °C, 10°/h. Torr). La structure des phases était aussi déterminée in situ par diffraction électronique.

Contexte

Section :

Chimie physique

Thème du colloque :

Chimie physique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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