Colloque

Étude des déformations des masques sous irradiation X en lithographie-X

A. Lakhsasi

A. Skorek

H. Pépin

M. Chaker

Membre a labase

A. Lakhsasi

Résumé du colloque

Un des problèmes importants dans la lithographie-X est l'étude des déformations des masques sous irradiation X. Dans ce travail, nous allons présenter un code de simulation qui permet l'optimisation des conditions d'irradiations et des matériaux qui composent le masque-X. La simulation du stress thermique induit dans le masque est réalisée à l'aide du code NISA, qui utilise la méthode d'analyse par éléments finis. Les simulations comportent deux parties, une thermique et l'autre statique. Nous nous intéresserons plus particulièrement à l'irradiation d'un masque formé par une membrane en SiC et un absorbant de tungstène dans le cas où la source X est créée par l'interaction du laser avec la matière. Après irradiation du masque SiC-W, le gradient maximal de la température dans le masque est de l'ordre de 25 °C et cela pour une impulsion d'amplitude de 10 mJ/cm² avec une durée de 2 ns. Ainsi, le stress thermique correspondant est de l'ordre de 5 × 10⁸ dynes/cm², qui est en fait comparable au stress attribué à la fabrication.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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