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Étude des excitons directs et indirects du composé GaSe par la méthode de thermoréflexivité

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Guy Bernier

Résumé du colloque

Le composé GaSe est un semiconducteur à structure en couches possédant un gap d'environ 2 eV. Les propriétés optiques de ce matériau soulèvent un intérêt particulier dû à la présence d'excitons sous la bande de conduction. Plusieurs phénomènes non-linéaires tels que la bistabilité optique et la présence d'émission stimulée sont directement reliés à la présence d'excitons dans GaSe. Notre étude a donc pour but d'établir la nature, directe ou indirecte, de même que les positions énergétiques de ces excitons. La thermoréflexivité est une technique qui s'avère très sensible au voisinage des transitions excitoniques. Cette grande sensibilité provient du fait que les spectres obtenus s'apparentent aux spectres de la dérivée par rapport à l'énergie de la réflectivité. Plusieurs spectres de thermoréflexivité au voisinage de la bande de conduction de GaSe sont donc présentés entre 50K et 200K. Un modèle théorique est également proposé pour rendre compte du profil des raies observées.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université d’Ottawa

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Titre du colloque :

Physique

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