Colloque

Étude du bruit dans les transistors à effet de champ polarisés en avalanche

Alain Comeau

Marcel Aubin

J.O. Webb

Membre a labase

Alain Comeau

Résumé du colloque

Les mosfet sont très utilisés aujourd'hui en micro-électronique; ce sont des circuits à très haute impédance d'entrée mais leur bruit intrinsèque (surtout 1/f) les rend moins attrayants dans les circuits d'amplification linéaire. Nous avons étudié le bruit en 1/f et le bruit blanc de ce type de transistor en avalanche (mode qui n'est pas étudié normalement) ceci afin de mieux comprendre les mécanismes qui y prennent place. Pour le bruit en 1/f on a trouvé une dépendance de puissance 1 par rapport au courant de drain alors que pour le bruit blanc on a une corrélation à un bruit de coup ("shot noise") avec une bonne certitude. On en déduit du facteur de multiplication de 2.6, la théorie prédisant une valeur entre 2 et 3.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université d’Ottawa

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Titre du colloque :

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