Colloque

Étude par la diffraction d'électrons lents à haute résolution de la morphologie des surfaces produites par épitaxie par jets moléculaires sur substrat de GaAs (001)

Bruno J. Riel

Peter Piercy

Zbig Wasilewski

Membre a labase

Bruno J. Riel

Résumé du colloque

Nous produisons des échantillons par Épitaxie par Jets Moléculaires (EJM) sur substrat de GaAs. Ceux-ci sont couverts d'une couche protectrice d'arsenic (quelques centaines d'Angström) dans le but de minimiser la contamination due au contact avec l'air ambiant. D'autres méthodes de préparations des substrats de GaAs sont utilisées, en particulier la pulvérisation par bombardement ionique d'argon suivit d'un recuit. La Désorption Thermique (DT) permet de déterminer une énergie d'activation, ainsi que la température minimale, nécessaire au processus d'évaporation. La Diffraction d'Électrons Lents à Haute Résolution (HRLEED) permet d'étudier les mécanismes cristallins de restructuration et d'aplanissement agissant pendant la croissance épitaxiale ainsi que pendant les recuits. En effectuant des mesures de profils de HRLEED en fonction du temps, l'évolution de la morphologie des surfaces peut-être enregistrée. Tandis qu'en effectuant ces mesures en fonction de l'énergie, la largeur moyenne des terrasses planes et l'épaisseur de l'interface peuvent-être mesurées. Nous présenterons des résultats de DT de la couche protectrice d'arsenic et d'argon implanté, des patrons de diffraction de diverses reconstructions de la surface (001) du GaAs, et des profils de HRLEED.