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Étude par MET de l'influence de la désorientation du substrat de Ge sur la microstructure de films épitaxiques de GaAs

Nicolas Guelton
Jean Pol Dodelet
Robert G. Saint-Jacques
Guy Lalande
NG

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Nicolas Guelton

Résumé du colloque

Des dépôts épitaxiques de GaAs ont été réalisés par transport réactif à courte distance sur des substrats parfaitement orientés de Ge(100) et sur des substrats vicinaux désorientés à 1,5° et 3° selon [110]. Les couches sont examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscope électronique en transmission (MET) conventionnelle. Le réseau de dislocations de désaccord paramétrique, caractéristique de l'hétéroépitaxie, est observé confiné à l'interface. Les dislocations sont parfaites, limitées de type 60° et plus rarement coins de type Lomer. Les parois d'antiphase, caractéristiques d'une hétéroépitaxie d'un composé polaire sur un substrat non polaire sont également observées mais leur nombre et leur taille diminuent fortement avec la désorientation. Apparaissent aussi des microcanales traversant le dépôt de part en part. Elles proviennent soit de la prolongation d'erreurs d'empilement qui peuvent facilement survenir dans les inclusions, soit d'une relaxation des contraintes dans la couche pendant le refroidissement.

Contexte

Section :
Génie des matériaux et métallurgie
news icon Thème du colloque :
Génie des matériaux et métallurgie
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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