Colloque

Étude par MET des changements de phase dans des films de Cu-Se et de CuInSe2

G. Veilleux

M. Boumerzoug

Lê H. Dao

R.G. Saint-Jacques

Membre a labase

G. Veilleux

Résumé du colloque

Dans le domaine des semiconducteurs appliqués à la production d'énergie, les cellules photovoltaïques utilisant des composés de Cu-Se et de CuInSe2 suscitent, dans le moment, beaucoup d'intérêts. À l'aide d'une technique de déposition en tension pulsée, il est possible de produire des films sur de grandes surfaces avec une meilleure uniformité et une plus grande pureté qu'avec les techniques usuelles telles l'évaporation sous vide, la pulvérisation et la déposition chimique en phase gazeuse (CVD). Nous avons préparé des films de CuSe, de Cu2Se, de Cu2-xSe et de CuInSe2 ainsi que des films de CuInxSe2. Ces films ont été électrodéposés uniformément sur des grilles en nickel. La composition des films était contrôlée en variant le pH de la solution et le potentiel appliqué à l'électrode de déposition. Nous avons étudié les effets de la composition et de la température sur les changements de phases des films déposés. Deux types de traitements ont été faits : sous vide à une pression de 1 x 10-6 Torr et à la pression atmosphérique jusqu'à 500°C. Des spectres de diffraction des électrons en sélection de zone et des analyses d'absorption de rayons X à dispersion d'énergie (EDS) ont permis une microscopie électronique à transmission (MET) opérée à 100 kV à une pression d'au plus 5 x 10-5 Torr durant les traitements thermiques. Les échantillons ont été examinés dans un microscope électronique à transmission (MET) opérée à 100 kV à une pression d'au plus 5 x 10-5 Torr durant les traitements thermiques.

Contexte

Section :

Caractérisation microscopique des matériaux

Thème du colloque :

Caractérisation microscopique des matériaux

Hôte : Université de Sherbrooke

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