Colloque

Étude par spectroscopie d'annihilation de positrons du dommage créé par implantation ionique dans du SiO2

P. Andrew Knights

John L. Brebner

Jacques Albert

Peter J. Simpson

Louis B. Allard

Membre a labase

P. Andrew Knights

Résumé du colloque

L'irradiation de substrats de silice (SiO2) par des ions de haute énergie mène à la formation de guide d'ondes près de la surface. Bien que les défauts et les centres de couleur ainsi créés donnent lieu à des applications technologiques utiles, un modèle physique clair reste encore à trouver. La technique de spectroscopie d'annihilation de positrons d'énergie variable est particulièrement bien adaptée à l'étude des défauts se trouvant près de la surface et on l'a ici utilisée pour étudier des échantillons de silice irradiés avec des ions de Si et de Ge possédant des énergies comprises entre 1.5 et 27 MeV. On montre que le paramètre-S (associé à largeur de la raie-g à 511 keV) décroit avec la dose implantée et que ceci est dû à la suppression de positronium. La distribution de défauts servant à modéliser le comportement du paramètre-S en inclut deux types: les centres d'oxygène non-liants (NBOHC) créés par le freinage électronique des ions et les volumes ouverts (probablement des lacunes doubles) créés par collisions nucléaires. On montrera que la "guérison" thermique des défauts associés à des volumes ouverts se fait plus rapidement que celle associée aux NBOHC. On présentera aussi des résultats de mesures de spectroscopie optique (photoluminescence et absorption) susceptibles d'être éclaircis par l'étude de l'annihilation des positrons. Nous présenterons les résultats provenant de deux types de silice, notamment le Suprasil-2 (900-1200 ppm OH) et le Suprasil-300 (sans OH) et tenteront d'éclaircir le rôle joué par ces groupements hydroxyles.

Contexte

Section :

Optique guidée et photonique 4

Thème du colloque :

Optique guidée et photonique 4

Hôte : Université McGill

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Titre du colloque :

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