Colloque

Extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un MESFET utilisant des mesures "load-pull" multi-harmoniques

Rached Hajji

Renato G. Bosisio

Fadhel M. Ghannouchi

Membre a labase

Rached Hajji

Résumé du colloque

L'extraction des paramètres du modèle non-linéaire d'un transistor micro-ondes est une étape importante dans la modélisation et la réalisation de ce dernier, car ces paramètres pourraient être reliés d'une façon directe ou indirecte aux caractéristiques physiques du transistor. Dans ces dernières années, différentes approches ont été utilisées pour effectuer cette tâche. La plupart de ces approches utilisent des mesures petit signal et des caractéristiques DC mesurées pour obtenir tous les paramètres du modèle non-linéaire du transistor. Notre approche utilise des paramètres S du MESFET (NEC 71083) mesurés sur un large bande de fréquences (1-16 GHz) et en extrayant les éléments linéaires du circuit équivalent du transistor, comme par exemple les résistances Rg, Rd et Rs reliées à la structure du dispositif et le boîtier. Pour déterminer les paramètres du modèle associés au comportement non-linéaire du MESFET, des mesures "load-pull" aux harmoniques sont utilisées conjointement avec la technique d'analyse dite équilibrage harmonique et des concepts d'optimisation pour ajuster le modèle grand signal du MESFET aux mesures. Cette approche permet donc d'obtenir un modèle du transistor compatible avec les conditions d'opération grand signal.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université de Sherbrooke

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