Colloque

Extraction et Caractérisation des paramètres du HBT

John Dupuis

F. M. Ghannouchi

Membre a labase

John Dupuis

Résumé du colloque

Le "Heterojunction Bipolar Transistor" est un nouveau transistor fait d'arséniure de Gallium, un semi-conducteur très répandu pour ses propriétés électriques. Depuis quelques temps, la recherche a rapidement démontré les caractéristiques électriques de celui-ci, fort rendement énergétique (Gain élevé), fréquence de coupure plus élevée et une forte tension de claquage. Ainsi, avec les multiples qualités, le HBT s'avère convenable pour tous les types de communications mobiles spatiales, il nous permet d'amplifier un signal pour une gamme de fréquence de communication (GHz). Pour simuler un tel comportement, nous devons connaître une modélisation électrique équivalente. Ainsi, notre principal objectif sera de déterminer équivalent de façon plus les éléments électriques du modèle équivalent. Pour ce faire, nous devons utiliser des mesures expérimentales (DC IV et petit signal S) pour caractériser efficacement le transistor. Avec les méthodes existantes, il est fort difficile de modéliser des mesures DC IV (le plus de données) à l'aide d'un seul logiciel et il est aussi dur de déterminer les éléments électriques (R, L et C). Il est alors essentiel de développer une stratégie d'optimisation afin d'augmenter la précision des équations modélisant le transistor. La méthode conventionnelle utilise une simulation sur l'ensemble des éléments simultanément, difficile sinon impossible d'obtenir un minimum d'erreur. Avec la précision des simulations démontrant l'importance des travaux futurs sur l'élaboration des stratégies d'approches dans le domaine d'optimisation et d'extraction des paramètres.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Rimouski

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Titre du colloque :

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