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Extrapolation de la technologie SOI sous les 100 nanomètres : procédé Smart-Cut® à basse énergie

Oussama Moutanabbir
Bernard Terreault
François Schiettekatte
Guy G. Ross
OM

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Oussama Moutanabbir

Résumé du colloque

La fabrication de substrats de silicium sur isolant (SOI) ultra minces (100 nm et moins) est une technologie prometteuse pour la future génération de transistors nanométriques, assurant ainsi la transition entre micro-électronique et nano-électronique dans la prochaine décennie. La technologie Smart-Cut® a permis la fabrication des substrats SOI de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm en utilisant des ions de basse énergie pose des problèmes particuliers qui défient les modèles acceptés pour des implantations à énergie plus élevée. Un effet inattendu de la fluence et un effet isotopique géant ont été découverts, qui peuvent avoir des implications dans la physique du silicium ainsi que dans l'ingénierie des microdispositifs. Afin d'expliquer ces deux effets, des mesures de spectroscopie Raman, de spectrométrie de désorption thermique, de microscopie de force atomique, de ERDA et de RBS/Canalisation ont été effectuées sur des échantillons Si-100 implantés hydrogène et/ou deutérium à 5 keV dans la gamme de fluence de 1x1016 – 1x1017 ion/cm2. Les résultats montrent que ces effets sont associés à une sorte d'augmentation de la stabilité de la liaison Si – H/D.

Contexte

Section :
Nanosciences : défis et prospectives
news icon Thème du colloque :
Nanosciences : défis et prospectives
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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