Colloque

Fabrication de circuits intégrés photoniques par implantation ionique

Sylvain Charbonneau

Membre a labase

Sylvain Charbonneau

Résumé du colloque

Une technique basée sur l'interdiffusion de puits quantiques a été mise au point pour l'accord à sélection spatiale, après croissance, de la bande interdite des puits quantiques dans une structure laser à semiconducteurs. L'implantation ionique à haute énergie (MeV) est utilisée pour créer un grand nombre de lacunes et d'interstices dans le dispositif. Pendant le traitement à haute température (recuit thermique rapide), ces défauts renforcent simultanément le mélange des puits quantiques et des matériaux barrières, ce qui entraîne un déplacement vers le bleu de la bande interdite des puits quantiques, et ils sont éliminés par recuit. Des accroissements d'énergie de la bande interdite dépassant 50 meV à 1,55 mm dans des structures de InGaAs/InGaAsP/InP peuvent être obtenus. La spectroscopie d'absorption dans la géométrie de guide d'ondes est utilisée pour quantifier toute perte en excès dans la structure. En utilisant un procédé de masquage simple pour réaliser une modification spatiale de la concentration des défauts, on peut obtenir divers degrés de déplacement vers le bleu dans différentes régions d'une tranche. On peut ainsi intégrer un grand nombre de dispositifs différents, par exemple des lasers, des détecteurs, des modulateurs, des amplificateurs et des guides d'ondes, sur une même tranche en ayant recours à une seule étape de traitement après croissance. Le comportement des dispositifs passifs (guides d'ondes) et actifs (lasers et amplificateurs) produits à l'aide de cette technique sera décrit, de même que les détails pratiques de l'utilisation de cette technique pour la production de circuits intégrés photoniques.