Colloque

Formation d'une interface isolante Si/SiO2 par promotion électronique du potassium

Idriss Bedja

Denis Roy

Alain Adnot

Membre a labase

Idriss Bedja

Résumé du colloque

L'oxydation des monocristaux de silicium est d'une importance vitale dans la construction de dispositifs microélectroniques. Malheureusement, ces oxydations ne sont rendues possibles qu'à des températures hautement élevées (1100°C), et à de grandes pressions de O2 (1 atm). Récemment, on a proposé d'utiliser des métaux alcalins Cs, Na, Rb et K comme catalyseurs efficaces de l'oxydation. À l'aide des techniques de spectroscopie électronique AES et XPS, nous avons étudié l'effet de l'adsorption d'une mono-couche de potassium sur la surface de Si(100) 2x1 propre et sur l'oxydation catalytique de ce dernier. À la température ambiante, la présence de 1 MC de K accroît de façon dramatique le taux d'oxydation, et un recuit à 600°C se traduit par une formation d'une couche continue d'un film mince isolant (10 ) SiO2 avec élimination totale des espèces catalyseurs. On a aussi établi qu'un seuil de recouvrement d'environ 2/3 MC est nécessaire à la promotion d'oxydation. Ce dernier demeure un point de controverse entre plusieurs chercheurs.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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Titre du colloque :

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