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Guide d'ondes optiques par implantation d'ions lourds dans la silice

Marc Verhaegen
John L. Brebner
Jacques Albert
MV

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Marc Verhaegen

Résumé du colloque

Des ions de germanium et de silicium sont implantés à des énergies entre 3 et 5 MeV dans la silice synthétique. Les changements d'indice de réfraction, de volume, et d'absorption dans l'ultraviolet sont mesurés en fonction de la dose implantée. Des guides linéaires monomodes sont fabriqués par implantation au travers d'un masque métallique.

Contexte

Section :
Optique guidée et photonique 3
news icon Thème du colloque :
Optique guidée et photonique 3
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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