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Hétéroépitaxie du germanium et de l'arséniure de gallium sur le silicium

Jean-Marc Baribeau
Thomas Moore
Thomas E. Jackman
Pascal Maigne
Derek C. Houghton
JB

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Jean-Marc Baribeau

Résumé du colloque

La croissance épitaxiale de différents matériaux semiconducteurs tel que l'arséniure de gallium sur un substrat de silicium suscite beaucoup d'intérêt en raison des possibilités d'intégration de composants opto-électroniques sur une puce de silicium. Toutefois, la différence des paramètres de maille et d'expansion thermique de ces différents semiconducteurs rendent l'hétéroépitaxie difficile à réaliser. Ces problèmes d'incompatibilité affectent l'origine des défauts qui se forment dans la couche épitaxiale qui souvent affectent ses propriétés. Nous avons étudié la croissance de films de germanium sur le silicium par épitaxie par jets moléculaires. En dépit d'un désaccord de maille de 4%, des films de bonne qualité ont pu être obtenus après optimisation des conditions de croissance. Les constantes physiques de l'arséniure de gallium et du germanium étant voisines, nous avons aussi étudié l'épitaxie de l'arséniure de gallium sur de tels échantillons. Les résultats préliminaires confirment que l'introduction d'une couche intermédiaire de germanium est un moyen efficace d'obtenir des couches d'arsène de gallium de haute qualité sur un substrat de silicium.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université d’Ottawa

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Titre du colloque :

Physique
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