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Implantation d'ions magnétiques Mn dans un semi-conducteur Si pour applications en spintronique

Martin Bolduc
Vincent Labella
Chaffra Awo-Affouda
A. Stollenwerk
M. B. Huang
MB

Membre a labase

Martin Bolduc

Résumé du colloque

L'utilisation du spin de l'électron dans les dispositifs semiconducteurs ouvre la voie à de nouvelles applications haute vitesse, tel le transistor à rotation de spin ou « spin-FET ». L'intégration de matériaux ferromagnétiques à l'intérieur de structures non magnétiques est essentielle pour la fabrication de ces composants spintroniques. L'implantation ionique permet la synthèse de semiconducteurs magnétiques dilués (DMS) en augmentant la limite de solubilité des dopants dans ces structures. La réalisation d'un DMS à base de Si par implantation d'ions magnétique mènerait à l'intégration de composants spintroniques dans les composants électroniques CMOS existants. Nous avons démontré qu'il est possible d'obtenir un effet ferromagnétique dans le Si par implantation d'ions Mn2+ de 300 keV à une concentration de 0.8 % at. Les mesures de magnétisation montrent une saturation de l'ordre de 0.7X10-3 emu/g. Nous présenterons les effets de la concentration et du recuit postimplantation sur l'intensité du signal ferromagnétique.

Contexte

Section :
Science et ingénierie des plasmas
news icon Thème du colloque :
Science et ingénierie des plasmas
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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