Colloque

Implantation Ionique à haute énergie du Silicium dans l'Arséniure de Gallium

Abdellah Azelmad

Gilles L'Espérance

John Currie

Arthur Yelon

Ken Oxorn

Membre a labase

Abdellah Azelmad

Résumé du colloque

L'implantation ionique dans la gamme des MeV est devenue un domaine de recherche important, offrant la possibilité de réaliser de nouveaux dispositifs. Le but est de former une région avec des propriétés définies, à quelques micromètres de la surface tout en laissant celle-ci avec le minimum de défauts. On s'est intéressé à l'implantation du Silicium dans l'AsGa à des énergies de 7 à 20 MeV pour former des régions profondes de type n. Le profil de la distribution des ions en profondeur est mesuré par SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires). Il est bien décrit par le calcul Monte Carlo du modèle L.S.S.. Le recuit est réalisé dans un four (RTA/AG) qui permet d'appliquer des rampes de température avec une vitesse de montée de 200°C par seconde, pour minimiser la diffusion du Silicium et le dégagement d'As de la surface. Les mesures de résistivité et de mobilité moyennes des couches implantées montrent une réactivation des dopants en accord avec le recuit à 850°C pendant 20 secondes. Les défauts résiduels après le recuit sont analysés par le microscope électronique à transmission.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université d’Ottawa

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Titre du colloque :

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