Colloque

Influence d'un champ magnétique sur l'atténuation sonore et la conductivité électrique dans des échantillons d'InSb de type n à basses températures

R.M. Marsolais

D. Cheeke

E. Ducla-Soares

Membre a labase

R.M. Marsolais

Résumé du colloque

L'InSb est un semiconducteur du groupe III-V qui possède un faible gap et une très grande mobilité des porteurs négatifs. Lorsque le semiconducteur est très pur et non dégénéré, il offre une forte dépendance en champ magnétique de sa conductivité électrique et de l'absorption ultrasonore. Ceci s'explique par le fait qu'à faible concentration de porteurs, il est possible de faire recouvrement de leur fonction d'onde ce recouvrement s'absent quand on applique un champ magnétique qui induit une contraction de la fonction d'onde dans le plan perpendiculaire au champ. L'absorption ultrasonore est ainsi augmentée puisque la diminution de la conductivité électrique fait ressortir le couplage piézoélectrique. L'effet est d'autant plus prononcé que la température est basse. Des mesures ont été effectuées sur des échantillons d'InSb peu dopés (8 x 10^13 cm−3 et 5 x 10^15 cm−3) à des températures jusqu'à environ 1K et pour des champs magnétiques allant de 0 à 50 Kauss dans une gamme de fréquences de 30 MHz à 750 MHz.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université du Québec à Trois-Rivières

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