Colloque

Interdiffusion des points quantiques InAs/GaAs et InAs/GaAs/AlGaAs

Claudine Allen

P. G. Piva

S. Poirier

S. Raymond

Simon Fafard

Membre a labase

Claudine Allen

Résumé du colloque

Le recuit rapide d'un échantillon de points quantiques en InAs dans une barrière de GaAs a pour effet de causer l'interdiffusion des atomes. Conséquemment, la photoluminescence des points quantiques subit un fort décalage vers le bleu, ~250 meV pour un recuit à 900°C. On peut donc sélectionner l'énergie d'émission ou la séparation en énergie des niveaux discrets des points quantiques puisque ces niveaux se rapprochent avec l'augmentation de la température du recuit. Bien que ce système présente des niveaux d'énergie mieux définis après l'interdiffusion dû à une diminution d'un facteur 3 approximativement de l'élargissement inhomogène des raies d'émission, ce n'est cependant pas le cas lorsque des barrières d'AlGaAs sont utilisées. Le décalage vers le bleu et la diminution de la séparation des niveaux d'énergie discrets sont encore observés dans ce cas, mais des fluctuations aléatoires d'alliage préviennent une réduction importante de l'élargissement inhomogène. Toutefois, une augmentation de l'intensité de photoluminescence après recuit est observée dans tous les cas.

Contexte

Section :

Matériaux et composants photoniques

Thème du colloque :

Matériaux et composants photoniques

Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

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