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Résumé du colloque
Les super-réseaux sont des structures composées de couches alternées de deux matériaux semi-conducteurs de faible épaisseur (~ 100). L'épaisseur totale du super-réseau étant de l'ordre de quelques milliers d'Angströms. La croissance de telles structures, intéressantes pour leurs propriétés optiques, se fait par l'épitaxie par jets moléculaires. La diffraction des rayons x permet, en utilisant la super période, la détermination de l'épaisseur, de la concentration et de l'état de contrainte des couches composant le super-réseau. Cette technique a été appliquée à l'étude du système Si-Ge d'une part et InGaAs/GaAs d'autre part.
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