Colloque

Investigation des semiconducteurs à la moitié de leur gap pour la photonique

Alain Villeneuve

Stewart Aitchison

George I. Stegeman

C. C. Yang

Peter G. J. Wigley

Membre a labase

Alain Villeneuve

Résumé du colloque

La recherche d'un matériel satisfaisant toutes les figures de mérite et offrant des possibilités d'intégration nous a amenés à investiguer les semiconducteurs (s/c) à la moitié de leur gap. Lorsque ceux-ci sont utilisés à proximité de leur gap, la sélectivité pour les libres diminue et le temps de réponse atteint que la transmission. De plus, dans la région entre le gap et la moitié de ce dernier, l'absorption à deux photons limite l'utilisation des s/c pour la photonique. Pour ces raisons, nous avons décidé d'investiguer AlGaAs sous la moitié du gap et aux longueurs d'onde pour la communication optique, i.e. 1.55 µm. Nous avons démontré le premier coupleur directionnel non-linéaire (CDNL) où la transmission n'est pas limitée par l'absorption linéaire ou non-linéaire. Par contre, en-deça de la moitié du gap et aux intensités nécessaires pour le CDNL, l'absorption à trois photons devient le facteur limitant, bien que nous soyons en-dessous de la limite. La non-linéarité étant non-résonante, la réponse du matériel (et donc du CDNL) est donc pratiquement instantanée. Les valeurs mesurées pour l'indice de réfraction non-linéaire sont en accord avec les prédictions théoriques. Nous avons donc identifié le premier matériel pour la logique optique intégrée.

Contexte

Section :

Optique guidée et photonique II

Thème du colloque :

Optique guidée et photonique II

Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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