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La croissance de super-réseaux GexSi1-x/Si par épitaxie par jets moléculaires

Jean-Marc Baribeau
Pierre Boulanger
Krishna Rajan
Derek C. Houghton
JB

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Jean-Marc Baribeau

Résumé du colloque

Les super-réseaux forment une nouvelle classe de matériaux semiconducteurs dont les propriétés électroniques et optiques dépendent de l'épaisseur et de la composition des couches qui les composent. Dans les super-réseaux sous contrainte, on désaccorde délibérément au pas de réseau avec les couches successives et compense par la distorsion du réseau plutôt que par l'introduction de dislocations. Ceci rend possible l'élaboration de super-réseaux à composition très variée dont les propriétés peuvent être choisies en fonction de l'application pour laquelle ils sont destinés. Des super-réseaux GexSi1-x/Si ont été élaborés par épitaxie par jets moléculaires puis caractérisés par microscope électronique par transmission. La nature des défauts résiduels ainsi que la qualité des interfaces ont pu être étudiées. La distorsion du réseau a pu être évaluée par microscopie à haute résolution en mesurant l'inclinaison des plans cristallins par transformée optique. Quelques exemples d'applications de ces super-réseaux sont également discutés.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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