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La spectroscopie de la charge d'espace dans les jonctions à base de silicium amorphe hydrogéné

R.W. Cochrane
J.C. Bruyere
RC

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R.W. Cochrane

Résumé du colloque

Le comportement des dispositifs semi-conducteurs est directement influencé par des défauts et les impuretés qui donnent naissance aux états dont les énergies se trouvent dans la bande interdite du semi-conducteur. Nous résumons brièvement la façon par laquelle ces états contribuent à la charge d'espace établie aux jonctions de type n-p, Schottky, MOS, etc. C'est donc la mesure de la distribution (la capacitance) et du mouvement (le courant) de ces charges qui permet la mise en évidence de la densité d'états dans la bande interdite. En plus, il s'avère que la signature de chaque état provient de sa dépendance temporelle quand le système revient à l'équilibre thermique. De ces considérations vient le caractère spectroscopique de ces mesures en faisant appel à la température ou à la fréquence pour faire adapter la réponse de certains états à l'instrumentation. Nous présentons plusieurs résultats sur le silicium amorphe hydrogéné mettant l'accent sur l'importance de la fréquence de mesure pour la détermination de la densité d'états.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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