La stabilité chimique des couches minces de carbure/oxycarbure de silicium synthétisées par la déposition de la phase vapeur des polymères craqués (CP-VD)
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Résumé du colloque
La résistance supérieure des couches minces de SiC vers l'oxidation à haute température est de plus en plus utilisée dans une énorme diversité des domaines, incluant les moteurs céramiques et des dispositifs semiconducteurs. Des couches protectrices de SiC sur C(gr) ont aussi permis une réduction dramatique de la teneur en carbon du silicium monocrystallin Czochralski, en réduisant la formation du CO pendant la croissance des monocrystaux. Les propriétés des couches minces de SiC obtenues par CP-VD, perçues d'une manière générale comme intermédiaires entre celles des films crystallins obtenus par CVD et celles des depôts amorphes dérivés de la pyrolyse des polymères précurseurs sont peu connues. La cinétique d'oxidation séche des couches protectrices de a-SiC déposées par CP-VD sur des supports de C(gr) et SiO2(quartz) est analisée dans le domaine 950-1100oC, sous une préssion partielle d'oxygène de ~0.02 torr. Les limitations du modéle parabolique Deal-Grove appliqué à l'étude de l'oxidation du a-SiC déposé par CP-VD sont discutées.
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