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L'art et la science de la croissance de couches minces céramiques à base de silicium par la déposition de la phase des vapeurs des polymères craqués (CP-VD)

Mihai Scarlete
Ian S. Butler
John F. Harrod
MS

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Mihai Scarlete

Résumé du colloque

Une nouvelle technique (CP-VD) a été conçue pour combiner les avantages offerts par les deux méthodes classiques utilisées présentement dans la synthèse des couches minces céramiques: la déposition chimique de la phase des vapeurs (CVD) et la pyrolyse des polymères précurseurs. De cette manière, des vitesses de déposition accrues sur de larges surfaces complexes (caractéristiques pour la route polymérique) deviennent accessibles alors que la possibilité de structuralisation de couches formées à partir des molécules qui gardent leur mobilité sur la surface de déposition (caractéristique pour CVD) est maintenue. Malgré sa nouveauté, des résultats remarquables ont déjà été obtenus dans la préparation des couches minces de carbure de silicium adaptées aux besoins des cellules solaires à hétérojonction (carbométhylés). Des résultats préliminaires dans la synthèse de couches de passivation à base de SiOx obtenues avec 90°C par l'oxydation des précurseurs (méthylsilane), permettent, en principe, d'envisager l'extension des procédés microélectroniques qui utilisent les exceptions de vitesses de déposition accrues des couches minces de SiO2 sur d'autres surfaces auparavant inaccessibles, comme GaAs.

Contexte

Section :
Chimie physique
news icon Thème du colloque :
Chimie physique
host icon Hôte : Université du Québec à Chicoutimi

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Titre du colloque :

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