Colloque

Lasers à points quantiques InAs auto-assemblés sur un substrat de (100) InP

Claudine Allen

P. J. Poole

P. Marshall

I. Fraser

S. Raymond

Simon Fafard

Membre a labase

Claudine Allen

Résumé du colloque

Cinq couches de points quantiques InAs séparées par un matériel quaternaire InGaAsP constituent la région active d’une diode laser dont le confinement optique est réalisé à l’aide d’InP. L’étude de cette diode montre que sa longueur d’onde d’émission est ~1.6 um à une température de 77K. Toutefois, cette longueur d’onde, ainsi que la densité de courant seuil, peut être modifiée en changeant la longueur de la cavité du laser et dans le cas de la plus longue cavité, il a été possible d’atteindre un seuil aussi bas que 49 A/cm2 à 77K. Une dépendance en température du courant seuil a aussi été observée impliquant une augmentation de l’émission thermionique avec la température.

Contexte

Section :

Optique guidée et photonique 7

Thème du colloque :

Optique guidée et photonique 7

Hôte : Université Laval

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Titre du colloque :

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