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Résumé du colloque
Dans l'étude des dispositifs expérimentaux dont le principe de fonctionnement est basé sur le phénomène de l'émission secondaire, il est important de disposer d'expressions analytiques qui rendent compte de la valeur du coefficient de l'émission en fonction de l'énergie d'incidence des électrons excitateurs ainsi que de leur angle d'approche à la surface excitée. On présente un modèle qui permet d'obtenir une relation fonctionnelle simple pour ce coefficient (δ(E,θ)) dans la bande d'énergie s'étendant de 0 à 1000 eV et pour des valeurs de l'angle d'incidence des électrons excitateurs variant de la normale à l'incidence rasante. Ce modèle fournit des moyens très efficaces pour l'étude des matériaux où le processus de l'émission secondaire est mis en jeu. Il s'applique aux surfaces de désordre élevé. Des exemples satisfaisants relatifs aux surfaces semiconductrices ainsi qu'aux surfaces recouvertes de films minces. On obtient des valeurs qui s'accordent bien avec les valeurs expérimentales publiées par quelques auteurs.
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