Colloque

Le dopage par plasma dans la fabrication des transistors avancés

Damien Lenoble

A. Grouillet

Membre a labase

Damien Lenoble

Résumé du colloque

Le dopage par plasma (PLAD) a été étudié depuis quelques années dans le but d'en faire une technologie fiable pour l'industrie des semiconducteurs. L'extrême difficulté que représente l'implantation du dopant par implantation standard à la très basse énergie requise par la technologie des transistors avancés (le « sous 0,1 micron ») a grandement motivé les fabricants de dispositifs à explorer des technologies de dopage de rechange comme le PLAD. Nous allons montrer ici comment nous avons utilisé la technique PLAD pour améliorer et le procédé de formation de jonctions ultra peu profondes et les caractéristiques de ces jonctions. Nous avons intégré ce procédé dans la séquence des procédés de fabrication industrielle de transistors CMOS (complémentaires métal-oxide-semiconducteur). On présentera une comparaison des performances électriques de transistors pMOSFET (métal-oxyde à effet de champ dopés-p) élaborés par PLAD et par implantation standard. Nous allons montrer que les avantages d'utiliser la technique PLAD sont de plus en plus évidents à mesure que la taille des transistors rétrécit de 0,18 micron à 0,09 micron.

Contexte

Section :

Science et ingénierie des plasmas

Thème du colloque :

Science et ingénierie des plasmas

Hôte : Université du Québec à Rimouski

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Titre du colloque :

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