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L'effet de la réflectance sur les spectres de photoluminescence des nc-Si et la dépendance dimension-émission

Riadh Smirani
G. G. Ross
Y. Wang
F. Martin
M. Chicoine
G. Abel
RS

Membre a labase

Riadh Smirani

Résumé du colloque

Les propriétés de photoluminescence des matériaux nanométriques à base de Silicium ont motivé un grand effort dans la recherche expérimentale et théorique en raison des applications possibles dans les dispositifs optoélectroniques. On a principalement proposé l'effet du confinement quantique comme responsable de la luminescence dans les nanocristaux de silicium. Dans ce travail, les nanocristaux de silicium ont été produits par implantation des ions de silicium (100 kev; 6x1016 Si+/cm2 à 3x1017 Si+/cm2) dans le quartz amorphe et dans une couche de SiO2 (1 ?m) obtenue par oxydation thermique d’une galette de silicium. Des spectres de photoluminescence (PL), induits par l'excitation d'un laser d'Ar, ont été enregistrés pour les deux types d'échantillons. On observe une déformation significative des spectres de PL des nc-Si dans la couche de SiO2. Elle est provoquée par les propriétés optiques de l'échantillon, particulièrement par la réflectance. On propose un procédé pour comparer les spectres de PL à ceux simulés au moyen du modèle de confinement quantique. En utilisant la distribution de grandeurs et la densité des nanocristaux de silicium fournis par microscopie électronique à transmission (TEM), on peut établir une comparaison directe qui permet une meilleure compréhension de l'influence des paramètres d'implantation (dose d'ions, temps de recuit et passivation d'hydrogène) sur les spectres de PL (intensité, longueur d'onde d'émission et décalage vers le rouge).

Contexte

Section :
Nanosciences : défis et prospectives
news icon Thème du colloque :
Nanosciences : défis et prospectives
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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