Colloque

Les bandes de conduction de GaSb

Eric H. Van Tongerloo

John C. Woolley

EH

Membre a labase

Eric H. Van Tongerloo

Résumé du colloque

Des mesures de magnétorésistance et de l'effet Faraday dû aux porteurs libres ont été faites sur quatre monocristaux de GaSb de type n, dopés au tellure. D'où on a pu calculer ΔE (différence d'énergie entre les minima des bandes de conduction (000) et <111>), et m|t/m (masse effective transversale des électrons <111>). On trouve que ΔE est une fonction de la quantité de tellure. m|t/m. dAE (variation de E en fonction de la quantité de dy tellure) et dAE/dT (coefficient de température de ∆E) dépendent de la valeur du paramètre de diffusion choisi.

Contexte

Section :

Physique: physique de l'état solide

Thème du colloque :

Physique: physique de l'état solide

Responsables :

E. Fortin

Hôte : Université d’Ottawa

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