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Résumé de la communication
Le principal obstacle à l'analyse avec un microscope électronique d'échantillons non conducteurs (comme les minéraux, les céramiques et les polymères) est le phénomène d'accumulation de charge qui se produit lorsque ces matériaux sont soumis à une irradiation d'électron. Ce phénomène affecte la mesure des électrons secondaires et donc l'aspect visuel obtenu par imagerie de l'échantillon. D'autre mesure comme les rayons-X et le courant du faisceau sont aussi modifiés. Mais pour bien comprendre ce qui se passe dans le microscope, il faut utiliser des modèles théoriques incorporants les champs électromagnétiques dans la colonne et l'échantillon. Pour simuler ces modèles, l'utilisation de la méthode des éléments finis pour calculer les champs électromagnétiques et la méthode Monte-Carlo pour simuler la trajectoire des électrons sont très utiles. De plus, le développement du microscope électronique avec un environnement gazeux conduit à l'étude de l'interaction du gaz avec les électrons ce qui demande le calcul des sections efficaces d'ionisation de ce gaz. Et la simulation des interactions des ions et des électrons avec les champs électromagnétiques dans ce type de technologie émergente est nécessaire à la compréhension de cette nouvelle technique de caractérisation. Dans cette présentation, nous allons voir les modèles physiques utilisés par VESEM, un programme de simulation numérique qui simule les trajectoires des électrons dans un MEB en incluant les effects de charge dans les échantillons isolants.
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