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Les effets de la pression d'arsenic sur la structure et la qualité de points quantiques d'InAs sur GaAs

Bruno Riel
Karin Hinzer
Peter Piercy
Simon Fafard
Z. R. Wasilewski
S. Moisa
J. Fraser
K. St-Jean
BR

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Bruno Riel

Résumé du colloque

Nous avons produit par épitaxie par jets moléculaires des points quantiques auto-assemblés dans le système InAs/GaAs de différentes grandeurs et de densité d'ensemble variée. Ceci a été accompli en contrôlant la pression d'arsenic pendant la déposition et le recuit de l'InAs. L'évolution d'ensembles de points quantiques a été étudiée en variant la pression d'arsenic à une quantité d'InAs déposée spécifique, ainsi qu'en variant la quantité d'InAs déposée à trois pressions d'arsenic. Nos résultats suggèrent que le contrôle qu'exerce la pression d'arsenic sur les points quantiques se fait par l'entremise de la variation de la longueur de diffusion de l'indium en fonction de la pression d'arsenic. Ce nouveau paramètre de contrôle de l'auto-assemblage des ensembles de points quantiques assure l'obtention de propriétés électroniques désirées lors de chaque croissance. Nous présenterons des mesures par photoluminescence, par microscope électronique à balayage, par microscope à force atomique et par diffraction-réflexion d'électrons de haute énergie.

Contexte

Section :
Matériaux et composants photoniques
news icon Thème du colloque :
Matériaux et composants photoniques
host icon Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

Matériaux et composants photoniques
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