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Résumé du colloque
Les effets photo-élastiques se manifestent dans les lasers à semi-conducteurs à structure "ridge-waveguide" lorsque le contact ohmique se fait par l'ouverture d'une fenêtre pratiquée dans la couche diélectrique (SiO2) du dessus. La présence de contraintes mécaniques a pour effet de modifier la partie réelle de la permittivité complexe de la cavité du laser. Dans un modèle global du laser à semi-conducteurs contenant les équations de diffusion des porteurs, de Laplace et de Helmholtz (avec résolution par éléments finis), nous montrons que les effets photo-élastiques sont différents pour le mode TE et le mode TM. En particulier, les courbes L-I pour certaines valeurs des contraintes mécaniques sont telles que l'on peut passer du mode TE au mode TM et vice versa en modulant le courant d'injection. Cet effet peut être mis à profit pour réaliser un modulateur TE/TM cohérent.
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