Colloque

Matériaux semi-conducteurs pour la génération de rayonnement dans l'infrarouge lointain

Robert Baribault

Christophe Rivière

Michel Piché

Membre a labase

Robert Baribault

Résumé du colloque

Du rayonnement électromagnétique dans l’infrarouge lointain peut être généré par conversion opto-électronique à la surface d’un matériau semi-conducteur. En effet, lorsque ce matériau est soumis à une tension électrique, son illumination par une impulsion brève entraîne la formation de porteurs de charges à sa surface, et ainsi l’apparition de courant avec une montée très rapide. Ce courant génère des ondes électromagnétiques dont le spectre se situe dans l’infrarouge lointain, i.e. dans la plage de fréquence autour du terahertz. Nous avons mis au point un système laser qui permet de sélectionner la fréquence de ce rayonnement. Nous utilisons une source qui émet deux impulsions brèves à des fréquences légèrement différentes; on observe une onde émise à la fréquence de différence entre les deux impulsions. Notre montage est basé sur une chaîne d’amplification de lasers à colorants opérée à une cadence de 10 hertz. Nous sommes en train de tester deux matériaux, soit le silicium sur saphir et le GaAs poussé à froid. Nous avons aussi développé un modèle qui tient compte des différents mécanismes en jeu, tels le temps de recombinaison radiative, la mobilité des porteurs de charges et leur diffusion.

Contexte

Section :

Nouveaux matériaux en photonique

Thème du colloque :

Nouveaux matériaux en photonique

Hôte : Université de Trois-Rivières

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Titre du colloque :

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