pen icon Colloque
quote

Mécanisme de transport de courant électrique de diodes Schottky fabriquées sur couches épitaxiales d'InP

P. Cova
R. Cochrane
A. Singh
R. A. Masut
J. Currie
PC

Membre a labase

P. Cova

Résumé du colloque

Beaucoup de travaux ont été réalisés sur les propriétés électriques de diodes Schottky fabriquées sur d'InP. Cependant, très peu d'études ont été publiées sur des diodes faites à base de couches épitaxiales de ce matériau. Ceci nous a motivés à réaliser une étude systématique sur le mécanisme de transport de courant électrique de la barrière Schottky Au/p-InP. La couche épitaxiale de phosphure d'indium dopée avec d'éthylzinc a été fabriquée par la technologie MOVPE, développée à l'École Polytechnique de Montréal pour la croissance épitaxiale des composés III-V à base d'InP. La haute barrière Schottky (1.03eV) a été fabriquée par la déposition d'or sur la couche épitaxiale d'InP en utilisant la technique de canon électronique. La caractérisation de la jonction a été faite à l'aide des mesures du courant électrique et de la capacitance en fonction du voltage dans la gamme de température 150 à 400 K. Le facteur d'idéalité de la jonction a varié de 1.60 à 1.19 dans cette gamme de température. Pour une densité de courant direct J < 10^-1 A/cm^2, le transport de courant électrique est contrôlé par le mécanisme d'émission thermionique et l'autre de génération et recombinaison dans la région d'appauvrissement. Cependant pour J >10^-1 A/cm^2, il est nécessaire d'ajouter la contribution des états à l'interface de la jonction pour expliquer ces variations et d'autres de la capacitance en polarisation directe.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

Découvrez d'autres communications scientifiques

news icon

Titre du colloque :

Physique
Images stigmatiques axiales pour des distances conjuguées finies au moyen de lentilles kinoformes s…
Yiping Han
Spectroscopie par laser d'un faisceau d'ions rapides neutralisés en vol par échange de charge
Chafik El Idrissi
La prédiction des quasi-cristaux au moyen de diagrammes structuraux
Jean Tartas
Voir tous les contenus de ce colloque

Autres communications du même congressiste :

news icon

Thème du colloque :

Physique
Mécanisme de transport de courant électrique de diodes Schottky fabriquées sur couches épitaxiales …
P. Cova
Mécanisme de transport de courant électrique de diodes Schottky fabriquées sur couches épitaxiales …
P. Cova
Mécanisme de transport de courant électrique de diodes Schottky fabriquées sur couches épitaxiales …
P. Cova