Colloque

Mesure de la distribution en profondeur et des taux de réémission et de pulvérisation suite à l'implantation d'azote dans le C et le Be

Jean-François Pageau

Guy G. Ross

Membre a labase

Jean-François Pageau

Résumé du colloque

L'implantation ionique est de plus en plus utilisée dans plusieurs secteurs d'activité pour modifier les propriétés de surface des matériaux. On peut ainsi obtenir de meilleures propriétés optiques, de conductivité électrique, de dureté, de résistance à la corrosion, de résistance à l'érosion, de mouillage, de compatibilité biologique, de résistance à l'irradiation, etc. Toutefois, des connaissances plus approfondies sur la pénétration des ions dans la matière, le taux de réémission et le taux de pulvérisation sont nécessaires afin d'utiliser adéquatement cette technique. En effet, de fortes différences entre les prédictions théoriques, les résultats des codes Monte Carlo et les mesures expérimentales ont été observées. Des ions d'azote sont implantés à des énergies (0.5 à 5 keV) et des concentrations (5 à 50 % saturation) différentes dans du C et du Be faiblement déposés sur un substrat. Le profil en profondeur ainsi que l'épaisseur des dépôts (at./cm²) ont été mesurés par la rétrodiffusion Rutherford (RBS). Des mesures nous permettent d'obtenir les taux de réémission et d'érosion ainsi que leur corrélation avec les variances des ions implantés. Les résultats obtenus servent à améliorer les modèles de simulation (TRIM) aussi bien que les modèles semi-empiriques qui sont habituellement utilisés pour prédire ces valeurs.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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