Colloque

Mesure de la résistance d'une couche d'inversion induite par un électret

Jean-Marc Langlois

André Filion

Laurent Caron

Bernard Noirhomme

Membre a labase

Jean-Marc Langlois

Résumé du colloque

En vue de réaliser une pile solaire MIS à jonction induite, un matériau chargé (l'électret) est juxtaposé sur un semiconducteur afin de provoquer une inversion à sa surface. Dans une pile solaire ainsi conçue, il est difficile de mesurer le champ électrique fourni par l'électret à partir des caractéristiques électriques de la pile. La résistance de la couche d'inversion, qui dépend du champ électrique, est un paramètre critique pour le rendement des cellules. La mesure de cette résistance nécessite un dispositif particulier de type MOSFET où la grille est remplacée par l'électret. La source et le drain du "transistor" forment des contacts MIS, analogues à ceux des piles, qui isolent la surface du semiconducteur de son volume. Les courbes courant-tension du "transistor" donnent la mobilité et le nombre des électrons dans la zone d'inversion. La charge dans l'électret est évaluée à l'aide d'un dispositif témoin où la grille est métallique.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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Titre du colloque :

Physique

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