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Mesure de réflectivité du Ga1-xInxSe en spectroscopie de modulation

G. Saintonge
J.L. Brener
GS

Membre a labase

G. Saintonge

Résumé du colloque

Le GaSe et le InSe font partie des composés III-VI et possèdent une structure anisotrope quasi-bidimensionnelle. Chaque couche est formée d'un empilement de quatre sous-couches disposées dans la séquence -Se-X-X-Se où X est soit Ga soit In. Des cristaux mixtes du type Ga1-xInxSe ont été produits dans la région riche en indium à l'aide de la méthode de croissance de Bridgman et étudiés par des mesures de réflectivité dans la région de forte absorption. Pour cela, la spectroscopie de modulation de longueur d'onde fut employée; celle-ci permet de mesurer simultanément et directement le spectre normal ainsi que sa dérivée par rapport à l'énergie photonique incidente.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

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