Colloque

Mesure du profil d'implantation dans le silicium par la technique d'onde acoustique de surface

G. Lalancette

M. Aubin

C. Christofides

D. Cherki

Membre a labase

G. Lalancette

Résumé du colloque

La mesure des propriétés électriques de semiconducteurs à l'aide d'une onde acoustique de surface est relativement récente. Le principal avantage de cette technique réside dans le fait qu'elle est non destructive. L'onde acoustique, qui est générée par un transducteur déposé sur un matériau piézo-électrique (LiNbO3) est accompagnée d'un champ électrique oscillant. L'interaction de ce champ électrique avec les porteurs près de la surface du semiconducteur donne lieu à un voltage transverse acoustoelectrique (VTA) qui constitue une signature de la qualité de surface du semiconducteur tout en donnant le signe des porteurs majoritaires. Dans le but d'étudier la concentration des porteurs en fonction de la profondeur, nous avons appliqué un voltage de balayage à deux faces des échantillons. Il s'agit ici des pastilles de silicium implantées avec des ions d'arsenic. L'étude de la variation du VTA en fonction du voltage appliqué nous a permis de déduire le profil des ions implantés. Cette technique pourrait donc devenir très intéressante pour l'industrie de la micro-électronique.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Moncton

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Titre du colloque :

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