Colloque

Mesures d'atténuation ultrasonore et de résistivité électrique dans le p-InSb:Ge sous champ magnétique intense

G. Madore

J.D.N. Cheeke

Membre a labase

G. Madore

Résumé du colloque

L'étude de l'atténuation ultrasonore (α) d'une onde longitudinale (10-700 MHz) et de la résistivité électrique (ρ) du p-InSb:Ge à basse température sous champ magnétique intense a été faite pour deux échantillons non-dégénérés (NA-ND = 10^14 et 2.2 x 10^15 cm^-3). Ceux-ci présentent une corrélation étroite entre α et ρ dans le régime de conduction par sauts dominants pour T < 6.7 K. Aux environs de 10 K un pic de relaxation dans l'atténuation ultrasonore nous permet d'associer un temps de relaxation aux trous lourds relaxant d'un niveau d'impureté (∼10 meV) vers la bande de valence. Le comportement de ce temps de relaxation dépendant de la température et du champ magnétique appliqué est analysé dans le cadre des théories usuelles de relaxation dans un système à deux niveaux.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Sherbrooke

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