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Mesures de paramètres de bruit de composants intégrés

PB

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Paul Béland

Résumé du colloque

La caractérisation des paramètres de bruits des transistors est requise pour évaluer les nouveaux procédés de fabrication, pour concevoir des amplificateurs à faible bruit et pour planifier la conception de nouveaux systèmes micro-ondes. Un bref historique des mesures de bruit aide à mieux comprendre les techniques de pointe dans ce domaine. Les mesures directement sur plaquettes de semiconducteur présente un intérêt particulier en raison des nombreux avantages qu'elles procurent. Cependant, la précision de ce type de mesure est souvent remise en question due à leur grande sensibilité aux petites variations des paramètres recueillis. L'introduction de nouvelles techniques de mesure pour améliorer la précision progresse rapidement mais comporte encore quelques lacunes dues au comportement électromagnétique des lignes de transmission planaires. Les détails d'un banc d'essai sur plaquettes fonctionnent jusqu'à 40 GHz, présentement en opération au Centre de recherche en communications (CRC), permettront de comprendre l'importance relative de ces lacunes ainsi que d'apprécier les améliorations qui ont été faites pour augmenter la précision.

Contexte

host icon Hôte : Université d’Ottawa

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