Colloque

Mesures de thermoréflectance dans InAs de type n, dopé de 10^18 à 6 x 10^19 porteurs par cc

R.R. Senechal

J.C. Woolley

Membre a labase

R.R. Senechal

Résumé du colloque

La thermoréfléctance de InAs hautement dopé au Se a été mesurée à 80% dans la région du spectre de 0.45 à 4 microns. Les signaux associés avec les transitions à la bande de conduction ont été liés aux deux premières bandes de valence. Les énergies des transitions et les largeurs des signaux ont été comparées avec les valeurs prédites par le modèle de Kane.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : École polytechnique de Montréal

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