Colloque

Mesures de transport de structure de bandes de GaAs

H. J. Lee

L. Y. Juravel

J. Basinski

J. C. Woolley

Membre a labase

H. J. Lee

Résumé du colloque

Aspnes a proposé récemment une modification au schéma de bandes de GaAs en situant le point L de la bande de conduction en dessous du point X. Pour tester cette modification, des mesures du coefficient de Hall et de la conductivité électrique en fonction de la température, de 0°C à 500°C, ont été faites sur des échantillons de GaAs de type n, pour des concentrations allant de 10^16 à 5 x 10^18/cm^3. Les résultats expérimentaux ont été comparés aux valeurs obtenues avec les équations habituelles de diffusion dans lesquelles les différences d'énergie entre les points Γ, X, L, les potentiels de déformation et les constantes de couplage sont les paramètres ajustables. Nous montrons que l'ordre des points L et X donné par Aspnes correspond bien aux résultats expérimentaux, alors que les valeurs des paramètres ajustables diffèrent quelque peu de celles qu'il propose.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université d'Ottawa

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