Colloque

Mesures de transport diélectrique dans le semi-conducteur quasi-unidimensionnel Zr3S4

G. Perluzzo

S. Jandl

A. Lakhani

Membre a labase

G. Perluzzo

Résumé du colloque

Suite à la croissance de cristaux de Zr3S4 en phase gazeuse, nous avons entrepris des mesures de résistivité, du coefficient de Hall et du pouvoir thermoélectrique dans la gamme de 300 à 500 K. Les échantillons montrent un comportement semi-conducteur avec une résistivité typique à l'ambiante de 40 Ω-cm et un pouvoir thermoélectrique de 820 μV/K où les porteurs dominants sont les électrons. Une énergie d'activation de 0.2 ± 0.02 eV a aussi été mesurée. Le pouvoir thermoélectrique se comporte en 1/T, typique d'un semi-conducteur. La mobilité à basse température est déterminée par la diffusion des impuretés ionisées où μi ~ 6.5 x 10^2 cm^2/V*sec-1, alors qu'à température élevée la diffusion par phonons domine selon μ2 ~ 1.35 x 10^5 T^-2 cm^2/V*sec-1.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

Découvrez d'autres communications scientifiques

Dans le même colloque
Du même congressiste

Titre du colloque :

Physique

Générateur de vapeur d'uranium du type à cathode creuse : estimé du rendement énergétique

J. M. Gagne

Excitation électronique de la molécule de Cs₂

A. Poulin

Effet du champ électrique local sur les courbes caractéristiques d'émission d'un canon à électrons …

A. Delage

Voir tous les contenus de ce colloque

Autres communications du même congressiste :

Thème du colloque :

Physique

Détermination des libres parcours moyens élastiques et inélastiques par transmission électronique d…

G. Bader

Mesures de transport diélectrique dans le semi-conducteur quasi-unidimensionnel Zr3S4

G. Perluzzo

Mesures de transport diélectrique dans le semi-conducteur quasi-unidimensionnel Zr3S4

G. Perluzzo