Colloque

Mesures Pulsées des Paramètres S d’un GaAs MESFET à l’Aide d’un Analyseur de Réseaux Six-Port

Michel Bégin

Fadhel M. Ghannouchi

Membre a labase

Michel Bégin

Résumé du colloque

Le développement croissant des communications par satellites et des communications mobiles nécessitent la fabrication de circuits intégrés micro-ondes de plus en plus performants au point de vue puissance, efficacité énergétique et linéarité. Le CAO/FAO de ces circuits intégrés exigent une modélisation précise des dispositifs actifs utilisés. Or, il est bien connu que les dispositifs en arséniure de gallium souffrent d’effets thermiques et dispersifs importants qui les rendent difficiles à modéliser. On peut étudier ce caractère dispersif à l’aide de mesures à très haute température des paramètres S à une impulsion. Pour ce faire, nous avons développé un analyseur de réseau six-port pulsé (ARSPP) opérant dans la bande de 2 à 8 GHz. Cet ARSPP utilise des convertisseurs analogique-numérique de 8 bits à la vitesse de 32 millions d’échantillons par seconde pour faire l’acquisition des tensions des détecteurs à diode permettant ainsi une résolution de l’ordre de 0,3 us. Des mesures pulsées de paramètres S d’un GaAs MESFET (NE901) qui démontrent les effets de pièges sont présentées. Ces mesures serviront à extraire les paramètres du circuit équivalent du modèle non-linéaire. Ce type de mesure devrait permettre d’améliorer la précision des modèles des dispositifs actifs utilisés dans les circuits numériques à haute vitesse ou dans les circuits micro-ondes. Il pourra s’avérer particulièrement utile pour caractériser les dispositifs actifs opérés en mode pulsé comme dans les communications mobiles.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Rimouski

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