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Résumé du colloque
La longueur de diffusion L des porteurs minoritaires dans le semiconducteur d'une cellule photovoltaïque Schottky peut être déterminée par un procédé simple grâce aux mesures de changements de courant d'éclairement à obscurité AI et de capacité de jonction, C, avec variation de la tension appliquée. Avec un éclairage d'une longueur d'onde qui pénètre profondément dans l'échantillon, on trace AI en fonction de 1/C et on extrapole la portion linéaire à l'abcisse pour déterminer L. On démontre qu'il est possible d'étendre la méthode d'une jonction Schottky à une hétérojonction, si la couche fenêtre est suffisamment transparente à la longueur d'onde utilisée. On montre aussi que la méthode tolère assez bien des résistances internes en série mais ne tolère pas de basses résistances internes shunt.
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